59n25场效应管参数

时间：2024-12-04 00:00:26

场效应MOS管FDA59N25参数

PD最大耗散功率：392W ID最大漏源电流：59A V(BR)DSS漏源击穿电压：250V RDS(ON)Ω内阻：0.049Ω VRDS(ON)ld通态电流：29.5A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压：3~5V VGS(th)ld(μA)开启电流：250μAFDA59N25 是一种场效应晶体管（FET），常用于各种电子设备和电路中。